Innovation

Ytterligare ett steg mot grafenelektronik

Fälteffekttransistor med lager av grafen. Tunnelströmmen mellan grafenlagren kan styras med en pålagd spänning (klicka på bilden).

Grafen har tagit ytterligare ett steg mot att ersätta kisel i halvledarkretsar genom en ny transistordesign av två nobelpristagare. I processen appliceras atomtunna lager av olika material.

Publicerad

Det är forskarna Andre Geim och Konstantin Novoselov vid University of Manchester – de två som belönades med Nobelepriset 2010 för sin forskning kring grafen – som nu åstadkommit en ny transistordesign med det atomtunna kolmaterialet.

Prova Ny Teknik – 149 kr
för tre månader


Tillgång till alla låsta artiklar, fördjupande kompendier,
premiumnyhetsbrev, samt e-tidningen.



Kom igång nu →


Förnyas till 299 kr/mån efter din provperiod. Ingen bindningstid. Avsluta enkelt.
Gäller endast nya prenumeranter.



Är du medlem i Sveriges Ingenjörer?

Aktivera ditt konto här